सामग्री
सॅमसंगने एक तेराबाइट ईयूएफएस २.१ स्टोरेजचे मोठ्या प्रमाणात उत्पादन सुरू केले आहे, अशी घोषणा कंपनीने आज केली. ही घोषणा अफवांच्या नंतर आली आहे की कंपनी टेरबाइट स्टोरेजसह गॅलेक्सी एस 10 व्हेरिएंट सादर करेल. पूर्वीची घोषणा केलेली 512 जीबी फ्लॅश गॅलेक्सी नोट 9 च्या उच्च समाप्ती आवृत्तीमध्ये आढळली त्याप्रमाणे उच्च क्षमतेचे फ्लॅश स्टोरेज समान भौतिक जागा वापरते.
स्टोरेज सॅमसंगच्या प्रगत व्ही-नंद फ्लॅश मेमरी तंत्रज्ञानावर आधारित आहे ज्यामध्ये घनता, कमी उर्जा आवश्यकता आणि सामान्यत: वेगवान गती वाढविण्यात आली आहे. हे एकल नॅन्ड पेशी उभ्या स्टॅकिंगचा वापर करते जे नियमित नॅन्डच्या आडव्या स्तरित व्यवस्थेच्या तुलनेत बरेच कार्यक्षम आहे.
वापरकर्ते काय अपेक्षा करू शकतात?
सॅमसंगचा असा दावा आहे की ईयूएफएस २.१ आधारित स्टोरेज प्रति सेकंदास १००० मेगाबाइट इतक्या उच्च अनुक्रमिक वाचनाची गती मिळवू शकतो, परंतु वास्तविकतेच्या वापरासाठी त्या संख्येवर आपणास टक्कर बसण्याची शक्यता नाही. यादृच्छिक गती म्हणजे सॅमसंगने जाहीर केलेल्या अधिक आणि प्राथमिक आकडेवारीवरून असे दिसून येते की त्याही बर्‍यापैकी सुधारल्या आहेत.
यादृच्छिक लिहिण्याची गती, विशेषत: सतत उच्च फ्रेम शूटिंग सारखे अनुप्रयोग सक्षम करण्यात मदत केली पाहिजे. आतापर्यंत बरेच फोन उच्च फ्रेम रेट व्हिडिओ कॅप्चरच्या काही सेकंदांपुरते मर्यादित आहेत. सॅमसंगचे म्हणणे आहे की नवीन व्ही-नंद आधारित 1 टेराबाईट स्टोरेज सोल्यूशनवर उच्च वाचन आणि लेखन गती प्रति सेकंदा 960 फ्रेमवर सतत, दीर्घकालीन व्हिडिओ रेकॉर्डिंग सक्षम करण्यासाठी पुरेसे असेल.
कोरियाच्या पियॉन्गटेक येथील सॅमसंगच्या प्लांटमध्ये फ्लॅश स्टोरेजचे उत्पादन सुरू झाले आहे आणि आम्ही एमडब्ल्यूसीमध्ये उच्च क्षमतेच्या स्टोरेजसह फोन लॉन्च करण्याविषयी ऐकण्याची अपेक्षा करतो. मागील अटकळ आणि गैलेक्सी एस 10 चे 20 फेब्रुवारी रोजी लाँच झाल्याची पुष्टी केली असता, आम्हाला त्या हँडसेटच्या आवृत्तीत संचयित केलेला स्टोरेज दिसण्याची चांगली संधी आहे.
फोनवरील टेराबाइट स्टोरेजबद्दल तुमचे काय मत आहे? आपण उच्च क्षमतेचे औचित्य सिद्ध करण्यासाठी पुरेसे मीडिया वाहून नेले आहे किंवा आपण मेघ-प्रथम भविष्य स्वीकारले आहे का?
